ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC0703NLSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC046N13NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC0703NLSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC046N13NM6ATMA1 | ISC0703NLSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| Paket / Kas | PG-TDSON-8 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55C to +150C (junction) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS family) |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 57 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 44 W |
| Paket | — | PG-TDSON-8 (5x6 mm) |
| Standard Package Quantity | — | 5,000 (reel) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS rating] |