ISC080N10NM6ATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC080N10NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IAUT300N08S5N012ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC080N10NM6ATMA1 IAUT300N08S5N012ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 6 100V OptiMOS™-5 80 V
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 1200 A (per datasheet, typical)
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA —
Paket PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) -55 °C to +175 °C (TJ)
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 300 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin