ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISZ056N03LF2SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ033N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISZ056N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA 2.35 V (typ)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: total gate charge]
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — StrongIRFET 2
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 72 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 5.6 mOhm
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 52 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin