ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISZ056N03LF2SATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ033N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ056N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISZ033N03LF2SATMA1 | ISZ056N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 109 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V max @ 30 uA | 2.35 V (typ) |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | StrongIRFET 2 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 72 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 5.6 mOhm |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +175 C |