JMTG100N06A vs BSC0901NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma JMTG100N06A tarafından Jiejie Micro ve BSC0901NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre JMTG100N06A BSC0901NSATMA1
Marka Jiejie Micro Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd Infineon Technologies
Transistor Türü N-Channel Power Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage V(DSS) 60 V —
Continuous Drain Current I(D) 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C) —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V 7.7 mΩ —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V 8.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ 1.5 V —
Paket PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads) TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Plating Pb-free —
Klorürsüz Yes —
RoHS Compliant —
UIS (Avalanche) Tested 100 % —
V(DS) Tested 100 % —
EAS Test Condition T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A —
Primary Applications Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive —
Part Family — OptiMOS 30V
Technology — N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
RoHS Durumu — Compliant
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin