JMTG100N06A vs BSC0901NSATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של JMTG100N06A מאת Jiejie Micro ו BSC0901NSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Jiejie Micro
JMTG100N06A JMTG100N06A - 60V 55A 7.7mΩ N-Ch Trench MOSFET | JieJie

JMTG100N06A - 60V 55A 7.7mΩ N-Ch Trench MOSFET | JieJie

JMTG100N06A ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר JMTG100N06A BSC0901NSATMA1
מותג Jiejie Micro Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd Infineon Technologies
סוג טרנזיסטור N-Channel Power Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage V(DSS) 60 V —
Continuous Drain Current I(D) 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C) —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V 7.7 mΩ —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V 8.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ 1.5 V —
מארז PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads) TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Plating Pb-free —
נטול הלוגנים Yes —
RoHS Compliant —
UIS (Avalanche) Tested 100 % —
V(DS) Tested 100 % —
EAS Test Condition T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A —
Primary Applications Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive —
Part Family — OptiMOS 30V
Technology — N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +150C
רמת רגישות ללחות (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
סטטוס RoHS — Compliant
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר