JMTG100N06A vs JMTG070N06A Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma JMTG100N06A tarafından Jiejie Micro ve JMTG070N06A tarafından Jiejie MicroAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre JMTG100N06A JMTG070N06A
Marka Jiejie Micro Jiejie Micro
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd Jiejie Micro (JJW)
Transistor Türü N-Channel Power Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage V(DSS) 60 V —
Continuous Drain Current I(D) 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C) —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V 7.7 mΩ —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V 8.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ 1.5 V —
Paket PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads) PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (SMD)
Plating Pb-free —
Klorürsüz Yes —
RoHS Compliant —
UIS (Avalanche) Tested 100 % —
V(DS) Tested 100 % —
EAS Test Condition T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A —
Primary Applications Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive —
Part Number — JMTG070N06A
Polarity / Type — N-channel Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 70 A
On-Resistance RDS(ON) — < 6 mOhm @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Technology — Advanced Trench MOSFET
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC)
Lead Status — Lead free / RoHS compliant
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: TJ max and operating range]
Thermal Resistance RthJA — [DATA_NEEDED: theta_JA]
Configuration — Single N-channel MOSFET

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin