K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WB-BICH Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BCTD tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BICH tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCTD ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WB-BCTD | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | $8,53 | — |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Organizasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Veri Hızı | 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2V |
| Die Revision | B-die | B-die |
| Paket | FBGA-78 (78-ball TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| Bank Structure | 16 banks, 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | BL8, BL16 |
| Termination | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT | — |
| Özellikler | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset | — |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| Speed Bin | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) | — |
| Terminations | 78 | — |
| JEDEC-30 Package Code | R-PBGA-B78 | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| CAS Gecikme | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |