K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WB-BICH So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G085WB-BCTD bằng Samsung Electronics và K4A8G085WB-BICH bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCTD ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G085WB-BCTD | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | $8,53 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Tổ chức | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | 1.2V |
| Die Revision | B-die | B-die |
| Hộp | FBGA-78 (78-ball TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Bank Structure | 16 banks, 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | BL8, BL16 |
| Termination | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT | — |
| Tính năng | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| Speed Bin | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) | — |
| Terminations | 78 | — |
| JEDEC-30 Package Code | R-PBGA-B78 | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Latency CAS | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |