K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WB-BICH موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BICH بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WB-BCTD | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $8.53 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2V |
| Die Revision | B-die | B-die |
| پیکیج | FBGA-78 (78-ball TFBGA) | 78-ball FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| Bank Structure | 16 banks, 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | BL8, BL16 |
| Termination | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT | — |
| خصوصیات | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| Speed Bin | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) | — |
| Terminations | 78 | — |
| JEDEC-30 Package Code | R-PBGA-B78 | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| CAS لیٹنسی | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |