K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WB-BICH השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WB-BCTD מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WB-BICH מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WB-BCTD | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $8.53 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2V |
| Die Revision | B-die | B-die |
| מארז | FBGA-78 (78-ball TFBGA) | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Bank Structure | 16 banks, 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | BL8, BL16 |
| Termination | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT | — |
| תכונות | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| Speed Bin | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) | — |
| Terminations | 78 | — |
| JEDEC-30 Package Code | R-PBGA-B78 | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| השהיית CAS | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |