K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BIRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BICR tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BIRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BIRC
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $6,56
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organizasyon 1G x 8 1G x 8
Veri Hızı 2400 Mbps 2400 Mbps
Besleme Gerilimi 1.2 V (VDD/VDDQ) 1.2 V
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
Paket 78-ball FBGA 78-FBGA
Pin Sayısı 78 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
İşletim Sıcaklığı — -40°C to 95°C
Number of Terminals — 78
Die Family — B-die
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 16
Arayüz — SSTL-12
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin