K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BIRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G085WB-BICR bằng Samsung Electronics và K4A8G085WB-BIRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BIRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho — In Stock
Giá đơn vị (USD) — $6,56
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Tổ chức 1G x 8 1G x 8
Tốc độ dữ liệu 2400 Mbps 2400 Mbps
Điện áp cung cấp 1.2 V (VDD/VDDQ) 1.2 V
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
Hộp 78-ball FBGA 78-FBGA
Số chân 78 —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Trạng thái RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
Nhiệt độ hoạt động — -40°C to 95°C
Number of Terminals — 78
Die Family — B-die
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 16
Giao diện — SSTL-12
RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá