K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BIRC השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WB-BICR מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WB-BIRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BIRC
מותג Samsung Electronics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי — In Stock
מחיר ליחידה (USD) — $6.56
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
ארגון 1G x 8 1G x 8
קצב נתונים 2400 Mbps 2400 Mbps
מתח אספקה 1.2 V (VDD/VDDQ) 1.2 V
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
מארז 78-ball FBGA 78-FBGA
מספר פינים 78 —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
טמפרטורת פעולה — -40°C to 95°C
Number of Terminals — 78
Die Family — B-die
השהיית CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 16
ממשק — SSTL-12
RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר