K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BIRC 比較

詳細並排比較 K4A8G085WB-BICR 由 Samsung Electronics 與 K4A8G085WB-BIRC 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ 啟用中
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K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC ✓ 啟用中

規格比較

參數 K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BIRC
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
庫存狀態 — In Stock
單價 (USD) — $6.56
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
組織 1G x 8 1G x 8
資料速率 2400 Mbps 2400 Mbps
供應電壓 1.2 V (VDD/VDDQ) 1.2 V
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
封裝 78-ball FBGA 78-FBGA
腳位數 78 —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
工作溫度範圍 [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
RoHS 狀態 Compliant —
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
工作溫度 — -40°C to 95°C
Number of Terminals — 78
Die Family — B-die
CAS 延遲 — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 16
介面 — SSTL-12
RoHS — Compliant

資料表與資源

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