K4A8G085WB vs K4A8G085WB-BIRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BIRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G085WB K4A8G085WB-BIRC
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $6,56
Bellek Türü DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organizasyon 1G x 8 1G x 8
Besleme Gerilimi 1.2 V 1.2 V
Paket 78-pin FBGA 78-FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Operating Mode DLL Enabled mode (per datasheet) —
Speed Grade Suffixes -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) —
Veri Hızı [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] 2400 Mbps
tCL/cas latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40°C to 95°C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank/bank group count] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Termination Voltage (VTT) [DATA_NEEDED: VTT value] —
Number of Terminals — 78
Refresh Cycles — 8192
Die Family — B-die
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 16
Arayüz — SSTL-12
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin