K4B4G1646D-BYH9 vs K4B4G1646D-BYK0 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BYH9 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646D-BYK0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BYH9 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Veri Hızı | 1333 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| İşletim Sıcaklığı | 0 ~ 85 °C | 0°C to 85°C |
| Paket | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Gecikme | Programmable | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Die Version | D-die | — |
| Bellek Türü | — | DDR3L SDRAM |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |