K4B4G1646D-BYH9 vs K4B4G1646D-BYK0 So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BYH9 bằng Samsung Electronics và K4B4G1646D-BYK0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BYH9 ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646D-BYH9 K4B4G1646D-BYK0
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Density 4 Gb 4 Gbit
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Tốc độ dữ liệu 1333 Mbps 1600 Mbps (PC3-12800)
Điện áp cung cấp 1.35 V 1.35 V (1.5 V compatible)
Nhiệt độ hoạt động 0 ~ 85 °C 0°C to 85°C
Hộp 96FBGA 96-ball FBGA
Number of Banks 8 —
Latency CAS Programmable Programmable (e.g., 11, 10, 9)
Write Latency Programmable —
On-Die Termination Yes Yes
Internal Calibration Yes —
Lead-Free Yes Yes
Đông trùng haogen Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
Die Version D-die —
Kiểu bộ nhớ — DDR3L SDRAM
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Số lượng chân — 96
Die Revision — D-die

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá