K4B4G1646D-BYH9 vs K4B4G1646D-BYK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYH9 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BYH9 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 1333 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0 ~ 85 °C | 0°C to 85°C |
| پیکیج | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS لیٹنسی | Programmable | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Die Version | D-die | — |
| میموری ٹائپ | — | DDR3L SDRAM |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |