K4B4G1646D-BYH9 vs K4B4G1646D-BYK0 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BYH9 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646D-BYK0 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BYH9 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| קצב נתונים | 1333 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| טמפרטורת פעולה | 0 ~ 85 °C | 0°C to 85°C |
| מארז | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| השהיית CAS | Programmable | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Die Version | D-die | — |
| סוג זיכרון | — | DDR3L SDRAM |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| מספר פינים | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |