K4B4G1646F-BYK0 vs K4B4G1646D-BYK0 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646F-BYK0 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646D-BYK0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646F-BYK0 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Veri Hızı | 1866 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Paket | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 95°C (TC) | 0°C to 85°C |
| Arayüz | Parallel | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (with burst chop 4) |
| CAS Gecikme | Programmable | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organizasyon | — | 256M x 16 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |