K4B4G1646F-BYK0 vs K4B4G1646D-BYK0 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646F-BYK0 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646D-BYK0 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646F-BYK0 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| מתח אספקה | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| קצב נתונים | 1866 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 95°C (TC) | 0°C to 85°C |
| ממשק | Parallel | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (with burst chop 4) |
| השהיית CAS | Programmable | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| ארגון | — | 256M x 16 |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| מספר פינים | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |