K6X0808C1D-GF70000 vs K6X0808C1D-GF55T Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K6X0808C1D-GF70000 tarafından Samsung Electronics ve K6X0808C1D-GF55T tarafından Samsung Electro-MechanicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP
K6X0808C1D-GF70000 ✓ AktifSamsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K6X0808C1D-GF70000 | K6X0808C1D-GF55T |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| Kategori | DRAM | DRAM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Bellek Boyutu | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Organizasyon | 32K x 8 bit | 32K x 8 |
| Arayüz | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage - Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage - Max | 5.5 V | — |
| Technology | Low Power CMOS | — |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | 15 bit |
| Veri Bus Genişliği | 8 bit (tri-state I/O) | 8 bit |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Input/Output Levels | TTL compatible | — |
| Paket | 28-SOP | 28-SOP (450 mil) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Besleme Gerilimi | — | 5.0 V |
| Process Technology | — | Full CMOS |
| Active Current | — | [DATA_NEEDED: active current] |
| Data Retention Voltage | — | Low data retention voltage supported (per datasheet) |
| Packaging | — | Tape & Reel (T suffix) |