K6X0808C1D-GF70000 vs K6X0808C1D-GF55T موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X0808C1D-GF70000 بذریعہ Samsung Electronics اور K6X0808C1D-GF55T بذریعہ Samsung Electro-Mechanics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 ✓ فعال
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF55T
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
زمرہ DRAM DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
میموری سائز 256 Kbit 256 Kbit
تنظیم 32K x 8 bit 32K x 8
انٹرفیس Parallel Parallel
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage - Min 4.5 V —
Supply Voltage - Max 5.5 V —
Technology Low Power CMOS —
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) 15 bit
ڈیٹا بس چوڑائی 8 bit (tri-state I/O) 8 bit
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Input/Output Levels TTL compatible —
پیکیج 28-SOP 28-SOP (450 mil)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
سپلائی وولٹیج — 5.0 V
Process Technology — Full CMOS
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported (per datasheet)
Packaging — Tape & Reel (T suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں