LM358DR vs LM358AD Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma LM358DR tarafından Texas Instruments ve LM358AD tarafından STMicroelectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre LM358DR LM358AD
Marka Texas Instruments STMicroelectronics
Kategori Amplifier ICs Amplifier ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier General Purpose, Low Power
Number of Circuits 2 —
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs 0.6 V/µs
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) [DATA_NEEDED: input offset voltage]
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
İşletim Sıcaklığı 0°C to +70°C —
Paket SOIC-8 (D) 8-pin SOIC
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Number of Channels — 2 (Dual)
Gain-Bandwidth Product (GBP) — 1.1 MHz
Supply Voltage Range (Single) — 3 V to 30 V
Supply Voltage Range (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Input Bias Current — 45 nA (typical)
Quiescent Current (per amplifier) — 0.7 mA (typical)
Input Common-Mode Range — 0 V to VCC−1.5 V
Output Voltage Swing — [DATA_NEEDED: output swing to rail]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — 0 °C to +70 °C
ESD Protection — Yes (HBM, on inputs)
Internal Frequency Compensation — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin