LM358DR vs LM358AD השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של LM358DR מאת Texas Instruments ו LM358AD מאת STMicroelectronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר LM358DR LM358AD
מותג Texas Instruments STMicroelectronics
קטגוריה Amplifier ICs Amplifier ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier General Purpose, Low Power
Number of Circuits 2 —
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs 0.6 V/µs
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) [DATA_NEEDED: input offset voltage]
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
טמפרטורת פעולה 0°C to +70°C —
מארז SOIC-8 (D) 8-pin SOIC
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Number of Channels — 2 (Dual)
Gain-Bandwidth Product (GBP) — 1.1 MHz
Supply Voltage Range (Single) — 3 V to 30 V
Supply Voltage Range (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Input Bias Current — 45 nA (typical)
Quiescent Current (per amplifier) — 0.7 mA (typical)
Input Common-Mode Range — 0 V to VCC−1.5 V
Output Voltage Swing — [DATA_NEEDED: output swing to rail]
טווח טמפרטורת פעולה — 0 °C to +70 °C
ESD Protection — Yes (HBM, on inputs)
Internal Frequency Compensation — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר