M29W064FT70N3E vs M29W064FT70N3F Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W064FT70N3E tarafından Micron Technology ve M29W064FT70N3F tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W064FT70N3F M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W064FT70N3E M29W064FT70N3F
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash (Parallel) NOR Flash
Density 64 Mbit 64 Mbit
Organizasyon 8 Mb x8 or 4 Mb x16 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16
Arayüz Parallel, CFI compliant Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
Besleme Gerilimi 2.7 V to 3.6 V —
Boot Block Architecture Top boot block (FT) —
İşletim Sıcaklığı -40C to +85C -40C to +125C
Paket 48-TSOP 48-TSOP I
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Programming Voltage Single 3 V supply (no separate VPP required) —
Erase/Program Method Command-set page programming, block erase —
Product Longevity Program No No
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: active read supply current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] unknown
Supply Voltage (VCC) — up to 3.6 V for program, erase, read
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Boot Block Configuration — Top boot block (FT)
Programming Method — Command set / data polling / toggle bit
Block Protection — Yes, with temporary unprotection
Width — x8/x16

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin