M29W064FT70N3E vs M29W064FT70N3F השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W064FT70N3E מאת Micron Technology ו M29W064FT70N3F מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ פעיל
Micron Technology
M29W064FT70N3F M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29W064FT70N3E M29W064FT70N3F
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash (Parallel) NOR Flash
Density 64 Mbit 64 Mbit
ארגון 8 Mb x8 or 4 Mb x16 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16
ממשק Parallel, CFI compliant Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
מתח אספקה 2.7 V to 3.6 V —
Boot Block Architecture Top boot block (FT) —
טמפרטורת פעולה -40C to +85C -40C to +125C
מארז 48-TSOP 48-TSOP I
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Programming Voltage Single 3 V supply (no separate VPP required) —
Erase/Program Method Command-set page programming, block erase —
Product Longevity Program No No
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: active read supply current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] unknown
Supply Voltage (VCC) — up to 3.6 V for program, erase, read
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Boot Block Configuration — Top boot block (FT)
Programming Method — Command set / data polling / toggle bit
Block Protection — Yes, with temporary unprotection
Width — x8/x16

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר