M29W064FT70N3E vs M29W064FT70N3F So sánh

So sánh chi tiết song song của M29W064FT70N3E bằng Micron Technology và M29W064FT70N3F bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29W064FT70N3F M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29W064FT70N3E M29W064FT70N3F
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash (Parallel) NOR Flash
Density 64 Mbit 64 Mbit
Tổ chức 8 Mb x8 or 4 Mb x16 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16
Giao diện Parallel, CFI compliant Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
Điện áp cung cấp 2.7 V to 3.6 V —
Boot Block Architecture Top boot block (FT) —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +85C -40C to +125C
Hộp 48-TSOP 48-TSOP I
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Programming Voltage Single 3 V supply (no separate VPP required) —
Erase/Program Method Command-set page programming, block erase —
Product Longevity Program No No
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: active read supply current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] unknown
Supply Voltage (VCC) — up to 3.6 V for program, erase, read
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Boot Block Configuration — Top boot block (FT)
Programming Method — Command set / data polling / toggle bit
Block Protection — Yes, with temporary unprotection
Width — x8/x16

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá