MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WC-BCTD Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT40A1G8SA-075:E tarafından Micron Technology ve K4A8G085WC-BCTD tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Son Satın AlmaÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | MT40A1G8SA-075:E | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Son Alış Zamanı |
| Bellek Türü | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8Gbit (1G x 8) | — |
| Arayüz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Veri Hızı | 2666 MT/s | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Paket | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | Yes |
| Data Mask Function | Supported | — |
| RoHS Durumu | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gb |
| Organizasyon | — | 1G x 8 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| İşletim Sıcaklığı | — | 0C to +95C |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Arayüz Türü | — | Synchronous, parallel |