1N5711 vs 1N5711SB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1N5711 بذریعہ STMicroelectronics اور 1N5711SB بذریعہ STMicroelectronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | 1N5711 | 1N5711SB |
|---|---|---|
| برانڈ | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| زمرہ | Diodes | Diodes |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Diode Type | Small-signal Schottky barrier (RF) diode | Small Signal Schottky Barrier Diode |
| Peak Reverse Voltage (VRRM) | 70 V | 70 V |
| Continuous Forward Current (IF) | 15 mA | — |
| Power Dissipation | 430 mW | 430 mW |
| Forward Voltage (VF) | 0.41 V (at 1 mA, per MACOM) | [DATA_NEEDED: forward voltage at rated current] |
| Total Capacitance | 2 pF | — |
| Junction Capacitance (Cj) | 1 pF | [DATA_NEEDED: junction capacitance] |
| Dynamic Resistance | 35 ohm | — |
| Breakdown Voltage (VB) | 70 V | — |
| Switching Speed | Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage) | — |
| Junction Structure | Metal-to-silicon junction with PN guard ring | — |
| پیکیج | DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass | DO-35 (SOD-27) hermetic glass axial |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through-Hole | Through Hole |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Reverse Leakage Current | [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Average Forward Current (IF(AV)) | — | 15 mA |
| Reverse Current (IR) | — | [DATA_NEEDED: reverse current at rated VR] |
| Reverse Recovery Time | — | Ultrafast (Schottky, no stored charge) |
| Configuration | — | Single |
| Junction Material | — | Metal-to-silicon junction |
| Primary Applications | — | UHF/VHF detection, mixing, switching, pulse shaping |
| Matched Batches | — | Available on request (ST) |