1N5711SB vs 1N5711 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1N5711SB بذریعہ STMicroelectronics اور 1N5711 بذریعہ STMicroelectronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

STMicroelectronics
1N5711SB 1N5711SB - 70V 15mA Schottky Diode DO-35 | STMicroelectronics

1N5711SB - 70V 15mA Schottky Diode DO-35 | STMicroelectronics

1N5711SB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1N5711SB 1N5711
برانڈ STMicroelectronics STMicroelectronics
زمرہ Diodes Diodes
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Diode Type Small Signal Schottky Barrier Diode Small-signal Schottky barrier (RF) diode
Peak Reverse Voltage (VRRM) 70 V 70 V
Average Forward Current (IF(AV)) 15 mA —
Power Dissipation 430 mW 430 mW
Forward Voltage (VF) [DATA_NEEDED: forward voltage at rated current] 0.41 V (at 1 mA, per MACOM)
Reverse Current (IR) [DATA_NEEDED: reverse current at rated VR] —
Junction Capacitance (Cj) [DATA_NEEDED: junction capacitance] 1 pF
Reverse Recovery Time Ultrafast (Schottky, no stored charge) —
Configuration Single —
پیکیج DO-35 (SOD-27) hermetic glass axial DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through-Hole
Junction Material Metal-to-silicon junction —
Primary Applications UHF/VHF detection, mixing, switching, pulse shaping —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
Matched Batches Available on request (ST) —
Continuous Forward Current (IF) — 15 mA
Total Capacitance — 2 pF
Dynamic Resistance — 35 ohm
Breakdown Voltage (VB) — 70 V
Switching Speed — Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage)
Junction Structure — Metal-to-silicon junction with PN guard ring
Reverse Leakage Current — [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں