2N7002-7-F vs 2N7002L موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2N7002-7-F بذریعہ Diodes Incorporated اور 2N7002L بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Diodes Incorporated
2N7002-7-F 2N7002-7-F - 60V N-Ch Enhancement MOSFET SOT-23 | Diodes Incorporated

2N7002-7-F - 60V N-Ch Enhancement MOSFET SOT-23 | Diodes Incorporated

2N7002-7-F ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2N7002-7-F 2N7002L
برانڈ Diodes Incorporated onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement-Mode MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 115 mA —
Continuous Drain Current Range (per Mouser listing) 105 mA to 210 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 370 mW —
On-Resistance RDS(on) 7.5 ohm to 13.5 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 1 V to 2.5 V
پیکیج SOT-23-3 (TO-236) SOT-23 (SOT-23-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj / TA operating range] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge typical] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Terminal Finish Matte tin (solderable per MIL-STD-202, method 208) —
Channel Mode Enhancement —
Technology Trench MOSFET High cell density trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 115 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Power Dissipation (PD) — 200 mW (Ta), 225 mW max
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
Manufacturer — onsemi

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں