2N7002H6327XTSA2 vs BSS83PH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2N7002H6327XTSA2 بذریعہ Infineon اور BSS83PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 ✓ فعال
Infineon
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2N7002H6327XTSA2 BSS83PH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (Planar) MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (Tj) —
پیکیج PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade Automotive grade per Infineon
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 330 mA
Pulsed Drain Current (IDM) — 1.3 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 2.0 ohm (max)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -2.5 V (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 360 mW
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +150 C
Process Technology — SIPMOS / OptiMOS

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں