2N7002L vs SSM3K35CT-L3F موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2N7002L بذریعہ onsemi اور SSM3K35CT-L3F بذریعہ Toshiba. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2N7002L SSM3K35CT-L3F
برانڈ onsemi Toshiba
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max —
Technology High cell density trench MOSFET —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج SOT-23 (SOT-23-3) SOT-883 (CST3), 3 pins
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (V(DSS)) — 20 V
Gate-Source Voltage (V(GSS)) — ±10 V (per datasheet, [DATA_NEEDED: exact value])
Continuous Drain Current (I(D)) — 0.18 A (180 mA)
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS = 2.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 500 mW (Ta) / [DATA_NEEDED: Ta condition]
Package Size — 1.0 mm x 0.6 mm, max height 0.5 mm
آپریٹنگ درجہ حرارت — [DATA_NEEDED: junction/storage temperature range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Lead-Free — Yes (L3F suffix)
Tape and Reel — 8 mm embossed carrier, 3,000 pcs/reel (L3F suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں