AFT26HW050SR3 vs AFT26HW050GSR3 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از AFT26HW050SR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور AFT26HW050GSR3 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
AFT26HW050SR3 AFT26HW050SR3 - 9W Asym Doherty LDMOS 2496-2690 MHz | NXP

AFT26HW050SR3 - 9W Asym Doherty LDMOS 2496-2690 MHz | NXP

AFT26HW050SR3 ✓ فعال
NXP Semiconductors
AFT26HW050GSR3 AFT26HW050GSR3 - 9W RF Power LDMOS 2.5-2.7GHz Doherty | NXP

AFT26HW050GSR3 - 9W RF Power LDMOS 2.5-2.7GHz Doherty | NXP

AFT26HW050GSR3 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر AFT26HW050SR3 AFT26HW050GSR3
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Part Family Airfast AFT26HW050S Series —
Device Type RF Power LDMOS Transistor (Asymmetrical Doherty) RF Power MOSFET (LDMOS), N-Channel, Enhancement Mode
Transistor Polarity N-Channel —
Mode Enhancement Mode —
Frequency Range 2496 MHz to 2690 MHz —
Output Power (Average) 9 W (Average) —
Output Power (Peak) 50 W (Peak) —
Power Gain (Typical) 14.2 dB —
Drain Voltage (Operating) 28 V —
Quiescent Current (Test) 100 mA —
پیکیج / کیس NI-780-4S4 (Ceramic Air-Cavity) NI-780GS-4L4L (9-pin, ceramic)
ٹوپولوجی Asymmetrical Doherty (Main + Peak) —
Application Band 2.6 GHz TDD-LTE / 5G NR —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (SMD RF Flange) Chassis Mount (bolt-down, flange)
Series Airfast RF Power —
Part Number — AFT26HW050GSR3
Family — Airfast RF Power
Operating Frequency — 2496 MHz to 2690 MHz
Typical Drain-Source Voltage (Vds) — 28 V
Maximum Drain-Source Voltage — 65 V
Output Power (P1dB / Avg) — 9 W average (Doherty)
Power Gain (Gp) — 14.2 dB at 2.69 GHz
Test Condition Gain — 14.2 dB @ 2.69 GHz
Test Condition Frequency — 2.496 GHz to 2.69 GHz
Quiescent Current (Iq) — 100 mA
Configuration — Single transistor, internally input-matched
Architecture — Asymmetric Doherty (paired carrier/peaking)
Technology — LDMOS (Laterally Diffused MOS), Airfast gen
REACH Status — Compliant
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40 C to +150 C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں