BSC027N06LS5ATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC027N06LS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R280P7SAUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC027N06LS5ATMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ 5 | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 600 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level | 4 V max @ ID = 190 µA |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 83 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C | — |
| پیکیج / کیس | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total Qg] | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 12 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 280 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 53 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -40 °C to +150 °C |
| پیکیج | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| MSL لیول | — | 1 |
| Integrated ESD Protection | — | Yes |