BSC036NE7NS3GATMA1 vs ISC009N06LM5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC036NE7NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC009N06LM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC009N06LM5ATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC009N06LM5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC036NE7NS3GATMA1 ISC009N06LM5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 2.6 V —
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) 45 nC —
Rise Time (tr typ) 13 ns —
Fall Time (tf typ) 11 ns —
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) 156 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.8 C/W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C -55 C to +175 C
پیکیج PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس ROHS3 Compliant Compliant
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Technology — OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 41 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 348 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS threshold typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 0.9 mOhm
Power Dissipation at Ta (PD) — 3 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 214 W

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں