BSC0504NSIATMA1 vs BSZ060NE2LSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC0504NSIATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ060NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC0504NSIATMA1 BSZ060NE2LSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
پیکیج PG-TDSON-8-6 PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
گیٹ تھریشولڈ وولٹیج [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
تھرمل ریزسٹنس [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
RoHS اسٹیٹس unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ060NE2LSATMA1
Technology — OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 44 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 26 W
MSL لیول — 1
Shipping Packaging — Tape & Reel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں