BSC0504NSIATMA1 vs BSZ060NE2LSATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC0504NSIATMA1 מאת Infineon ו BSZ060NE2LSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC0504NSIATMA1 BSZ060NE2LSATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
מארז PG-TDSON-8-6 PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
מתח סף שער [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
התנגדות תרמית [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
סטטוס RoHS unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ060NE2LSATMA1
Technology — OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 44 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 26 W
רמת MSL — 1
Shipping Packaging — Tape & Reel

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר