BSC0504NSIATMA1 vs BSZ060NE2LSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC0504NSIATMA1 توسط Infineon و BSZ060NE2LSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC0504NSIATMA1 BSZ060NE2LSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-6 PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پین‌ها 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
ولتاژ آستانه گیت [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
مقاومت حرارتی [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
وضعیت RoHS unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ060NE2LSATMA1
Technology — OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 44 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 26 W
سطح MSL — 1
Shipping Packaging — Tape & Reel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت