BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC052N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC077N12NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC052N08NS5ATMA1 | BSC077N12NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC052N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.2 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5-3.0 V | 2.5 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | -55C to +150C |
| پیکیج | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (unlimited) | 1 |
| Part Family | — | OptiMOS 3 (120 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 98 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.7 mΩ |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 139 W |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| Automotive Grade | — | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) |