BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC052N08NS5ATMA1 bằng Infineon và BSC077N12NS3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC052N08NS5ATMA1 | BSC077N12NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC052N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.2 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5-3.0 V | 2.5 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Hộp | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| Part Family | — | OptiMOS 3 (120 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 98 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.7 mΩ |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 139 W |
| Số chân | — | 8 |
| Automotive Grade | — | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) |