BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC052N08NS5ATMA1 מאת Infineon ו BSC077N12NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | BSC052N08NS5ATMA1 | BSC077N12NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC052N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.2 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5-3.0 V | 2.5 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +150C | -55C to +150C |
| מארז | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| Part Family | — | OptiMOS 3 (120 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 98 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.7 mΩ |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 139 W |
| מספר פינים | — | 8 |
| Automotive Grade | — | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) |