BSC0906NSATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC0906NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC077N12NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC0906NSATMA1 | BSC077N12NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | 13.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 63 A | 98 A |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS | — |
| RDS(on) max (typical reference) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction, typical) | — |
| پن کی تعداد | 8 | 8 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 3 (120 V) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 139 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| MSL لیول | — | 1 |
| Automotive Grade | — | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) |