BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC100N10NSFGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC027N10NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC100N10NSFGATMA1 | BSC027N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | NRND |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (100V) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | 11.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | 90 A | — |
| Power Dissipation (PD), Tc | 156 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 10 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (for rated RDS(on)) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | BSC027N10NS5ATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 194 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 214 W |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Qualification | — | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) |