BSC155N06NDATMA1 vs BSC0993NDATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC155N06NDATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0993NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 - Dual 60V 20A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC155N06NDATMA1 - Dual 60V 20A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC155N06NDATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC155N06NDATMA1 BSC0993NDATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC155N06NDATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) OptiMOS 5 trench MOSFET
Configuration Dual N-channel MOSFET array Dual N-Channel (Array)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55C to +150C (junction)
پیکیج PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TISON-8
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free plating) Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Product Series — OptiMOS 5 30V
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں