BSO150N03MDGXUMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSO150N03MDGXUMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ036NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSO150N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Channel MOSFET, 9.3A, OptiMOS 3M | Infineon
BSO150N03MDGXUMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSO150N03MDGXUMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSO150N03MDGXUMA1 | — |
| Product Type | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Technology | OptiMOS 3M (30V trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max per channel | 9.3 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 15 mOhm at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.0 V | — |
| Power Dissipation (PD) max | 1.4 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | -55C to +150C |
| پیکیج | PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 (unlimited) | 1 (Unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Channel Configuration | Dual N-Channel (independent) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 37 W |
| Configuration | — | Single |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |