BSP125H6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP125H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP135H6906XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP125H6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP125H6327XTSA1 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) SIPMOS (planar high-voltage)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Configuration Single —
Channel Mode Enhancement —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (Unlimited) 1 (unlimited)
Qualification Automotive / Industrial grade —
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 120 mA
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C
پن کی تعداد — 4 (3 leads + drain tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں