BSP125H6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSP125H6327XTSA1 מאת Infineon ו BSP135H6906XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSP125H6327XTSA1 | BSP135H6906XTSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSP125H6327XTSA1 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) | SIPMOS (planar high-voltage) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | — |
| מארז | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (Unlimited) | 1 (unlimited) |
| Qualification | Automotive / Industrial grade | — |
| FET Type | — | N-Channel Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 120 mA |
| RDS(on) Max at VGS=0V | — | 45 Ohm |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 1.8 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(off)) | — | Depletion mode (normally-on) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C |
| מספר פינים | — | 4 (3 leads + drain tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) |
| Lead-Free | — | Yes |